Capacitatea totală a memoriei 4 TB
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Viteza maximă de citire 14 800 MB/s
Viteza maximă de scriere 13 400 MB/s
Resurs maxim DWPD 0.33
Toţi parametriiCapacitatea totală a memoriei 4 TB
Număr de biți per celulă 3 bit TLC
Structura memoriei 3D NAND
Viteza maximă de citire 14 800 MB/s
Viteza maximă de scriere 13 400 MB/s
Viteza de citire aleatorie Fișiere de 4 KB (QD32) 2 200K IOPS
Viteză de scriere aleatorie Fișiere 4 KB (QD32) 2 600K IOPS
Capacitate maxima de scriere / rescriere (TBW) 2 400 TB
Temperatura de lucru 70 °C
Rezistența la șoc mecanic 1 500 G
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Segment Desktop PC, laptop
Resurs maxim DWPD 0.33
Tehnologia TRIM Da
Aplicație pentru gestionare Samsung Magician
Producator Samsung
Interfață PCI-E 5.0 x4
Model MZ-VAP4T0BW
Seria 9100 PRO
Greutate 9 g
Radiator pentru racire Nu
LED RGB Nu
Culoare Black
Form Factor NVMe 2280