Capacitatea totală a memoriei 1 TB
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Viteza maximă de citire 5 000 MB/s
Viteza maximă de scriere 4 200 MB/s
Toţi parametriiCapacitatea totală a memoriei 1 TB
Număr de biți per celulă 3 bit TLC
Structura memoriei 3D NAND
Viteza maximă de citire 5 000 MB/s
Viteza maximă de scriere 4 200 MB/s
Viteza de citire aleatorie Fișiere de 4 KB (QD32) 680K IOPS
Viteză de scriere aleatorie Fișiere 4 KB (QD32) 800K IOPS
Capacitate maxima de scriere / rescriere (TBW) 600 TB
Controler Samsung in-house Controller
Temperatura de lucru 70 °C
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Segment Desktop PC, laptop
Criptarea dispozitivului AES 256-bit
Tehnologia TRIM Da
Aplicație pentru gestionare Samsung Magician
Producator Samsung
Interfață PCI-E 4.0 x4 / 5.0 x2
Model MZ-V9E1T0BW
Seria 990 EVO
Greutate 9 g
Radiator pentru racire Nu
LED RGB Nu
Culoare Black
Form Factor NVMe 2280