Capacitatea totală a memoriei 1 TB
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Viteza maximă de citire 7 450 MB/s
Viteza maximă de scriere 6 900 MB/s
Resurs maxim DWPD 0.33
Toţi parametriiCapacitatea totală a memoriei 1 TB
Număr de biți per celulă 3 bit MLC
Structura memoriei 3D NAND
Viteza maximă de citire 7 450 MB/s
Viteza maximă de scriere 6 900 MB/s
Viteza de citire aleatorie Fișiere de 4 KB (QD32) 1 400K IOPS
Capacitate maxima de scriere / rescriere (TBW) 600 TB
Controler Samsung Elpis
Temperatura de lucru 70 °C
Buffer (cache) 1 024 MB
Consumul de energie 6 W
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Segment Desktop PC, laptop
Criptarea dispozitivului AES 256-bit
Resurs maxim DWPD 0.33
Tehnologia TRIM Da
Aplicație pentru gestionare Samsung Magician
Producator Samsung
Interfață PCI-E 4.x x4
Model MZ-V9P1T0CW
Seria 990 PRO Heatsink
Greutate 9 g
Radiator pentru racire Da
LED RGB Nu
Culoare Black
Form Factor NVMe 2280