Общий объем памяти 1 ТБ
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Максимальная скорость чтения 7 300 МБ/с
Максимальная скорость записи 6 000 МБ/с
Все параметрыНет в наличии
Общий объем памяти 1 ТБ
Количество бит на ячейку 3 bit TLC
Структура памяти 3D NAND
Максимальная скорость чтения 7 300 МБ/с
Максимальная скорость записи 6 000 МБ/с
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 750K IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 850K IOPS
Максимальный ресурс записи (TBW) 600 ТБ
Рабочая температура 85 °C
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Производитель GOODRAM
Интерфейс PCIe4.0 x4
Модель IRP-SSDPR-P44N-01T-30
Серия IRDM PRO NANO
Вес Настольный ПК, ноутбук
Радиатор охлаждения Нет
LED RGB Нет
Цвет Black
Форм-фактор M.2 2230