SSD GOODRAM IRDM PRO NANO
M.2 NVMe / 512 GB / PCIe 4.0 x4Общий объем памяти 512 ГБ
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Максимальная скорость чтения 5 100 МБ/с
Максимальная скорость записи 4 600 МБ/с
Все параметрыОбщий объем памяти 512 ГБ
Количество бит на ячейку 3 bit TLC
Структура памяти 3D NAND
Максимальная скорость чтения 5 100 МБ/с
Максимальная скорость записи 4 600 МБ/с
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 780K IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 920K IOPS
Максимальный ресурс записи (TBW) 300 ТБ
Рабочая температура 85 °C
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Производитель GOODRAM
Интерфейс PCIe4.0 x4
Модель IRP-SSDPR-P44N-512-30
Серия IRDM PRO NANO
Вес Настольный ПК, ноутбук
Радиатор охлаждения Нет
LED RGB Нет
Цвет Black
Форм-фактор M.2 2230