Общий объем памяти 1 ТБ
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Максимальная скорость чтения 7 150 МБ/с
Максимальная скорость записи 6 300 МБ/с
Все параметрыОбщий объем памяти 1 ТБ
Количество бит на ячейку 3 bit TLC
Структура памяти 3D NAND
Максимальная скорость чтения 7 150 МБ/с
Максимальная скорость записи 6 300 МБ/с
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 850K IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 1 350K IOPS
Максимальный ресурс записи (TBW) 600 TB
Контроллер Samsung in-house Controller
Рабочая температура 70 °C
Ударостойкость при работе 1 500 G
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Сегмент Настольный ПК, ноутбук
Шифрование устройства AES 256-bit
Технология ТРИМ Да
Приложение для управления Samsung Magician
Производитель Samsung
Интерфейс PCI-E 4.0 x4 / 5.0 x2
Модель MZ-V9S1T0BW
Серия 990 EVO Plus
Вес 9 г
Радиатор охлаждения Нет
LED RGB Нет
Цвет Black
Форм-фактор NVMe 2280