Capacitatea totală a memoriei 4 TB
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Viteza maximă de citire 7 450 MB/s
Viteza maximă de scriere 6 900 MB/s
Toţi parametriiCapacitatea totală a memoriei 4 TB
Număr de biți per celulă 3 bit TLC
Structura memoriei 3D NAND
Viteza maximă de citire 7 450 MB/s
Viteza maximă de scriere 6 900 MB/s
Viteza de citire aleatorie Fișiere de 4 KB (QD32) 1 550K IOPS
Viteză de scriere aleatorie Fișiere 4 KB (QD32) 1 600K IOPS
Capacitate maxima de scriere / rescriere (TBW) 2 400 TB
Controler Samsung Pascal
Temperatura de lucru 70 °C
Buffer (cache) Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
Rezistența la șoc mecanic 1 500 G
Consumul de energie 8.5 W
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Segment Desktop PC, laptop
Tehnologia TRIM Da
Producator Samsung
Interfață PCIe4.0 x4
Model MZ-V9P4T0BW
Seria 990 PRO
Greutate 9 g
Culoare Black
Form Factor M.2 2280