Capacitatea totală a memoriei 1 TB
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Viteza maximă de citire 7 000 MB/s
Viteza maximă de scriere 5 100 MB/s
Toţi parametriiCapacitatea totală a memoriei 1 TB
Număr de biți per celulă 3 bit TLC
Structura memoriei 3D NAND
Viteza maximă de citire 7 000 MB/s
Viteza maximă de scriere 5 100 MB/s
Viteza de citire aleatorie Fișiere de 4 KB (QD32) 1 000K IOPS
Viteză de scriere aleatorie Fișiere 4 KB (QD32) 850K IOPS
Capacitate maxima de scriere / rescriere (TBW) 600 TB
Temperatura de lucru 70 °C
Consumul de energie 5.8 W
Timpul mediu dintre erori (MTBF) 1 500 000 ore
Segment Desktop PC, laptop
Producator Samsung
Interfață PCIe 4.0 x4
Model MZVL21T0HCLR-00B00
Greutate 8 g
Radiator pentru racire Nu
LED RGB Nu
Culoare Black
Form Factor M.2 2280