Общий объем памяти 1 ТБ
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Максимальная скорость чтения 7 000 МБ/с
Максимальная скорость записи 5 100 МБ/с
Все параметрыОбщий объем памяти 1 ТБ
Количество бит на ячейку 3 bit TLC
Структура памяти 3D NAND
Максимальная скорость чтения 7 000 МБ/с
Максимальная скорость записи 5 100 МБ/с
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) 1 000K IOPS
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 850K IOPS
Максимальный ресурс записи (TBW) 600 ТБ
Рабочая температура 70 °C
Энергопотребление 5.8 Вт
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1 500 000 часов
Сегмент Настольный ПК, ноутбук
Производитель Samsung
Интерфейс PCIe 4.0 x4
Модель MZVL21T0HCLR-00B00
Вес 8 г
Радиатор охлаждения Нет
LED RGB Нет
Цвет Black
Форм-фактор M.2 2280